《半导体学报（英文版）》杂志是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊，半导体学报（英文版）杂志具有正规的双刊号，其中国内统一刊号：CN11-5781/TN，国际刊号：ISSN1674-4926。半导体学报（英文版）杂志社由中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办，本刊为月刊，出版地：北京912信箱。自创刊以来，被公认誉为具有业内影响力的杂志之一。半导体学报（英文版）并获中国优秀期刊奖，现中国期刊网数据库全文收录期刊。
半导体学报（英文版）杂志可以用于正常评审职称加分！可以用与考研保研以及课题申报，均有效！
本站为《半导体学报（英文版）》杂志社合作采编中心，具有绿色通道投稿可优先加急录用！
《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。《半导体学报（英文版）》与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。
《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。
一、本刊栏目有特稿经济论坛生产力新论专题研究决策者论坛决策参考教研咨询机构，作者在三个月内未接到刊用通知的可自行处理稿件。
二、请作者在来稿时，在稿件首页注明关键词、中英文提要，另附作者姓名、出生年月、职称、工作单位、通讯地址、邮政编码以及便于联系的电话、电子信箱等。
三、稿件应遵守学术规范，要求作者对所引用的材料和引文出处作认真仔细的校订。
四、文后参考文献是在学术研究过程中，对某一著作或论文的整体的参考或借鉴。征引文献在注释中已注明，不再出现于文后参考文献中。文后参考文献按其重要程度或参考的先后顺序排列；文后参考文献不注页码；文后参考文献的著录项目及次序与注释基本相同。
五、凡有数学公式、曲线图的文稿，务必字迹清楚、规范，图形清晰，数字绝对准确，以免误排。
六、本刊对采用稿件有删改权，不同意删改者，请在来稿时申明。本刊发表的文章，如作者不同意文章转载，请在来稿时声明。
投稿邮箱：kf@400qikan.com，请注明投稿《半导体学报（英文版）》杂志。
特别申明：本刊授予400期刊网优先审稿，本刊将优先录用经过400论文发表网(www.400qikan.com)审核的稿件。
国家新闻出版总署、400期刊网中科院优秀期刊二等奖（90）、全国优秀期刊三等奖（92）、全国优秀期刊三等奖（97）
国家新闻出版总署、400期刊网中科院优秀期刊二等奖（90）、全国优秀期刊三等奖（92）、全国优秀期刊三等奖（97）
Solid State Physics View of Liquid State Chemistry Ⅱ.Electrical Capacitance of Pure and Impure Water
Substrate temperature effects on the structural and photoelectric properties of ZnS:In films
Optimizing structure for constructing a highly efficient inverted top-emitting organic light-emitting diode with stable electroluminescent spectra
Temperature dependent I Ds-ⅤGs characteristics of an N-channel Si tunneling field-effect transistor with a germanium source on Si(110) substrate
Effects of wet-ROA on shallow interface traps of n-type 4H-SiC MOS capacitors
A PD-SOI based DTI-LOCOS combined cross isolation technique for minimizing TID radiation induced leakage in high density memory
A novel SOI high-voltage SJ-pLDMOS based on self-adaptive charge balance
A novel NLDMOS with a high ballast resistance for ESD protection
The total dose effects on the 1/f noise of deep submicron CMOS transistors
Experimental and theoretical study of an improved breakdown voltage SOILDMOS with a reduced cell pitch
The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model
Correlation between dark current RTS noise and defects for AlGaInP multiple-quantum-well laser diode
Effects of the p-AlInGaN/GaN superlattices“ structure on the performance of blue LEDs
Effects of defect states on the performance of CuInGaSe2 solar cells
1.3-μm 1×4 MMI coupler based on shallow-etched InP ridge waveguides
A dynamic range extension scheme applied to a TDI CMOS image sensor
Dual-band RF receiver for GPS-L1 and compass-B1 in a 55-nm CMOS
A power-efficient 12-bit analog-to-digital converter with a novel constant-resistance CMOS input sampling switch
A 130 nm CMOS low-power SAR ADC for wide-band communication systems
Process variation robust current-mode on-chip interconnect signaling scheme
An effective timing characterization method for an accuracy-proved VLSI standard cell library
A multi coding technique to reduce transition activity in VLSI circuits
Alkaline barrier slurry applied in TSV chemical mechanical planarization
Electrochemical investigation of copper chemical mechanical planarization in alkaline slurry without an inhibitor
Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AlGaN/GaN HEMTs
A new weakly alkaline slurry for copper planarization at a reduced down pressure
An improved shape shifting method of critical area extraction
相关专题：实验室管式反应器 河南农业科学
上一篇：
农业科学学报
下一篇：
矿物冶金与材料学报
