本文作者：杨帅；汤晓燕；张玉明；宋庆文；张义门；成功正常投稿发表论文到《物理学报》2014年20期,引用请注明来源400期刊网！

【摘要】：SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造SiC半超结VDMOSFET的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET击穿电压的影响,在电荷失配程度为30%时出现半超结VDMOSFET的最大击穿电压.在本文的器件参数下,P柱浓度偏差导致击穿电压降低15%时,半超结VDMOSFET柱区浓度偏差范围相对于超结VDMOSFET可提高69.5%,这意味着半超结VDMOSFET对柱区离子注入的控制要求更低,工艺制造难度更低.
【论文正文预览】：SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造SiC半超结VDMOSFET的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-SiC超结和半超
【文章分类号】：TN386
【稿件关键词】：SiC半超结电荷失配
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【稿件标题】：电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响
【作者单位】：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件实验室;西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院;
【发表期刊期数】：《物理学报》2014年20期
【期刊简介】：《物理学报》杂志是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊，物理学报杂志具有正规的双刊号，其中国内统一刊号：CN11-1958/O4，国际刊号：ISSN1000-3290。物理学报杂志社由中国科学院主管、主办，本刊为刊。自创刊以来，被公认誉为具有业......更多物理学报信息
【版权所有人】：杨帅；汤晓燕；张玉明；宋庆文；张义门；

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