本文作者：傅林坚；曹建伟；沈文杰；朱亮；张俊；石刚；欧阳鹏根；叶欣；邱敏秀；成功正常投稿发表论文到《机电工程》2014年01期,引用请注明来源400期刊网！

【摘要】：针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题。通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,得到了两种模型下的单晶温度分布图,并对比分析了两种模型下的单晶外表面温度分布及纵向温度梯度分布。研究结果表明,反射环可改善温度场分布,降低单晶硅外表面轴向温度梯度,使晶体径向温度趋于一致,提高硅单晶径向电阻率均匀性,并有效解决了生长过程中单晶硅易出现裂纹的问题。
【论文正文预览】：0引言区别于传统的直拉法(CZ)生长硅晶,区熔硅单晶采用区熔法(也叫针眼法)原理生长硅晶,即:利用高频感应加热原理,直接对高纯多晶棒料局部加热并熔化,下轴的籽晶通过线圈中心孔与多晶棒熔接并生长出单晶。在整个拉晶过程中硅晶不与外界接触,因而容易获得高纯度、高完整性、低
【文章分类号】：TN304.12
【稿件关键词】：悬浮区熔法反射环数值模拟温度场
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【稿件标题】：反射环对区熔炉温度场的影响
【作者单位】：浙江晶盛机电股份有限公司;
【发表期刊期数】：《机电工程》2014年01期
【期刊简介】：《机电工程》杂志是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊，机电工程杂志具有正规的双刊号，其中国内统一刊号：CN33-1088/TM，国际刊号：ISSN1001-4551。机电工程杂志社由浙江省机电集团有限公司主管、主办，本刊为月刊。自创刊以来，被......更多机电工程信息
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